Chia sẻ đam mê công nghệ
Cập nhật

TSMC bác tin làm 3D DRAM cho Nvidia: đúc HBM khác gì làm ô nhớ?

TSMC khẳng định tiếp tục tập trung vào xưởng đúc chip logic. Tham gia sản xuất đế logic cho HBM không đồng nghĩa hãng đã có công nghệ chế tạo ô nhớ 3D DRAM.

Tóm tắt nhanh

  • TSMC khẳng định tiếp tục tập trung vào vai trò xưởng đúc IC logic, sau thông tin hãng cân nhắc làm 3D DRAM theo đề nghị của Nvidia.
  • HBM xếp chồng các die nhớ, còn 3D DRAM hướng tới xếp các lớp ô nhớ theo chiều dọc; đây là hai cấp độ kỹ thuật khác nhau.
  • Làm đế logic cho HBM không đem lại sẵn quy trình chế tạo ô nhớ DRAM hay năng lực sản xuất bộ nhớ thương mại.
  • Thông tin hiện có chưa đủ để coi TSMC là nguồn cung DRAM mới, càng chưa phải căn cứ dự báo giá RAM sẽ giảm.

TSMC khẳng định vẫn tập trung vào hoạt động xưởng đúc IC logic chuyên trách, sau thông tin hãng đang lập phương án sản xuất 3D DRAM theo đề nghị của Nvidia. Phản hồi của người phát ngôn được gửi trực tiếp tới Tom’s Hardware; nội dung nhấn mạnh định hướng kinh doanh lâu dài, chứ không công bố dự án bộ nhớ mới.

Điểm dễ nhầm nằm ở việc TSMC đã tham gia chuỗi cung ứng HBM dùng cùng chip AI. Một hãng có thể đúc phần logic và đóng gói bộ nhớ với bộ xử lý mà vẫn không trực tiếp chế tạo những ô nhớ lưu dữ liệu.

Đúc đế logic cho HBM không phải sản xuất DRAM

Ảnh chip HBM3E và HBM4 cùng ảnh die của SK hynix
Các chip HBM3E và HBM4 của SK hynix thuộc dòng bộ nhớ xếp chồng die; chúng không đồng nghĩa với kiến trúc ô nhớ 3D DRAM. Nguồn: SK hynix / Tom's Hardware.

Đế logic và die nhớ nằm trong cùng một sản phẩm HBM nhưng đảm nhiệm những phần việc khác nhau. Đế logic là phần mạch phục vụ kết nối và điều khiển, còn các die DRAM chứa ô nhớ được xếp chồng phía trên. Năng lực sản xuất phần đầu không tự chuyển thành năng lực sản xuất phần sau.

Theo thông tin Tom’s Hardware dẫn về hợp tác giữa hai hãng, SK hynix đã bắt tay với TSMC từ năm 2024 để sản xuất đế logic cho các thế hệ HBM tiếp theo. Điều đó giúp giải thích vì sao tên TSMC xuất hiện trong lộ trình bộ nhớ, nhưng không phải bằng chứng hãng đang thay thế SK hynix ở khâu làm die DRAM.

3D DRAM lại xử lý vấn đề ở cấp ô nhớ: thay vì chỉ bố trí ô nhớ trên một mặt phẳng, kiến trúc này hướng tới nhiều lớp ô nhớ theo chiều dọc để tăng mật độ. Trong khi đó, HBM xếp chồng các die DRAM đã được chế tạo. Cả hai đều có yếu tố xếp lớp, nhưng không thể dùng hình ảnh một chồng chip HBM để kết luận công nghệ ô nhớ 3D DRAM đã sẵn sàng.

Phân biệt như vậy cũng giúp đọc đúng một thông báo hợp tác. Hợp đồng đúc đế logic cho biết ai sản xuất phần mạch nền; muốn xác nhận một nguồn cung DRAM mới, cần biết thêm ai làm ô nhớ và quy trình ấy đã đạt khả năng sản xuất hàng loạt hay chưa.

Thêm lớp ô nhớ không giải quyết ngay cơn thiếu bộ nhớ

Trụ sở TSMC với logo của hãng trước tòa nhà
TSMC khẳng định tiếp tục tập trung vào xưởng đúc chip logic sau thông tin về kế hoạch 3D DRAM. Nguồn: TSMC / Tom's Hardware.

Rào cản của 3D DRAM nằm trong quy trình chế tạo, không chỉ ở quyết định đầu tư nhà máy. Muốn tạo nhiều lớp ô nhớ, nhà sản xuất phải kiểm soát được lỗi và tỷ lệ chip đạt chuẩn qua quá trình gia công; một thiết kế tăng mật độ trên lý thuyết chưa bảo đảm có thể sản xuất với chi phí chấp nhận được.

TSMC có thế mạnh ở chip logic, nhưng DRAM cần quy trình riêng. Vì vậy, ngay cả giả sử hãng quyết định tham gia, việc chuyển từ năng lực đúc GPU sang làm ô nhớ vẫn cần phát triển công nghệ và xây dựng năng lực sản xuất phù hợp. Không thể xem công suất xưởng đúc logic như lượng cung DRAM có thể bật thêm ngay.

Với Nvidia, thêm một phương án bộ nhớ có thể hữu ích về dài hạn, còn nhu cầu giao hệ thống AI trước mắt cần nguồn cung thực tế. Một hướng nghiên cứu chưa có lịch thương mại hóa không thể được tính như số chip nhớ đã đặt mua. Đây là khác biệt giữa đa dạng hóa lựa chọn công nghệ và tháo gỡ thiếu hàng trong hiện tại.

Thông tin về đề nghị của Nvidia và phương án 3D DRAM xuất phát từ báo cáo của The Information, dựa trên người biết về sáng kiến. Đó vẫn là thông tin chưa được TSMC xác nhận. Tuyên bố giữ định hướng xưởng đúc logic cần được ưu tiên khi mô tả lập trường công khai của hãng, nhưng cũng không nên diễn giải rộng thành cam kết rằng TSMC sẽ không bao giờ nghiên cứu bất kỳ công nghệ nhớ nào.

Người mua RAM chưa có căn cứ để chờ giá giảm từ tin này

Với người đang nâng cấp máy tính ở Việt Nam, tin về 3D DRAM không phải lý do đủ chắc để trì hoãn mua RAM. Từ một báo cáo về đánh giá công nghệ tới nguồn hàng bán ra còn khoảng cách lớn, trong khi không có xác nhận về dự án sản xuất để quy đổi thành tác động cụ thể lên thị trường bán lẻ.

Cũng không thể suy thẳng từ bộ nhớ phục vụ GPU AI sang giá thanh RAM cho PC. Một công nghệ tăng mật độ ô nhớ, một sản phẩm HBM và một bộ RAM máy tính không phải cùng một mặt hàng; khả năng sản xuất thêm ở đâu, cho loại sản phẩm nào mới quyết định mức độ liên quan đến người mua cuối.

Điều đáng theo dõi tiếp theo là xác nhận dự án, quy trình chế tạo và thời điểm có sản phẩm thương mại, thay vì chỉ tên một hãng lớn xuất hiện cạnh chữ DRAM. Ở thời điểm này, coi TSMC là nhà cung cấp ô nhớ mới sẽ đi xa hơn những gì hãng đã công bố.

Nguồn tham khảo: Tom’s Hardware — phản hồi của TSMC và bối cảnh kỹ thuật; ExplainX — phân biệt HBM và 3D DRAM; ShiftDelete.Net — thông tin về báo cáo ban đầu.

Bài này thế nào?

Hoá đơn của bài này

Tek viết bài này bằng cà phê. Mời Tek một ly nha?

Theo dõi TekCafe: Facebook · YouTube

Bài viết mới nhất