Tóm tắt nhanh
- NVIDIA được cho là yêu cầu Samsung, SK hynix và Micron dùng đế logic sản xuất trên tiến trình 3nm của TSMC cho bộ nhớ tùy biến NVHBM.
- Các lớp DRAM phía trên vẫn do từng nhà cung cấp phát triển; báo cáo nhắc tới tiến trình DRAM thế hệ thứ sáu, còn gọi là 1c.
- NVIDIA công bố mục tiêu tăng băng thông và giảm điện năng của NVHBM so với HBM4E; mức cải thiện thực tế còn cần đo độc lập.
- Chưa có xác nhận chính thức từ NVIDIA, Samsung, TSMC, SK hynix hay Micron về thỏa thuận được đưa tin.
NVIDIA được cho là muốn các nhà cung cấp HBM dùng chung một đế logic 3nm của TSMC cho dòng NVHBM, thay vì mỗi hãng tự làm phần này theo quy trình riêng. Nếu thông tin chính xác, Samsung sẽ hợp tác với đối thủ foundry lớn nhất của mình ở một công đoạn cụ thể, nhưng điều đó không đồng nghĩa hãng rời bỏ sản xuất HBM hay chuyển toàn bộ bộ nhớ sang TSMC.
Đưa bộ điều khiển nhớ xuống đế logic giúp giải phóng diện tích GPU
NVHBM được thiết kế để đưa bộ điều khiển nhớ tùy biến xuống base die, lớp logic nằm dưới các tầng DRAM xếp chồng. Cách bố trí này chuyển một phần chức năng khỏi GPU, qua đó dành thêm diện tích trên compute die cho mạch tính toán. Đây là lý do bộ nhớ có thể ảnh hưởng trực tiếp đến cấu hình GPU AI, chứ không chỉ quyết định dung lượng hay tốc độ truyền dữ liệu.
Theo thông số do Seoul Economic Daily dẫn lại, lớp PHY trao đổi tín hiệu điện với chip bên ngoài được thu nhỏ 60% so với HBM tiêu chuẩn để nhường chỗ cho bộ điều khiển. Chi tiết thiết kế này vẫn cần được các hãng xác nhận, nhưng nó giúp giải thích vì sao đế logic ngày càng đảm nhiệm nhiều chức năng hơn bên dưới chồng DRAM.
NVIDIA tuyên bố NVHBM có thể đạt băng thông bộ nhớ cao hơn tối đa 30% và dùng ít điện hơn tối đa 15% so với HBM4E tiêu chuẩn. Đây là mức tối đa theo so sánh của NVIDIA, không phải kết quả độc lập áp dụng cho mọi GPU hoặc mọi cấu hình. Khi chưa có sản phẩm thương mại và phép đo bên ngoài, chưa thể suy ra mức tăng hiệu năng ứng dụng từ hai con số này.
Đế logic chung có thể giảm gánh nặng xác thực giữa các nhà cung cấp
Điểm đáng chú ý của kế hoạch được đưa tin không nằm ở việc TSMC làm chip DRAM. Vai trò của hãng là gia công phần đế logic; các nhà cung cấp bộ nhớ vẫn phụ trách những lớp DRAM của họ. Báo cáo cho biết NVIDIA muốn Samsung, SK hynix và Micron dùng cùng nền tảng đế logic, trong khi phần DRAM dựa trên quy trình thế hệ thứ sáu 1c của từng hãng.
Một nền tảng logic chung có thể giúp NVIDIA giảm số biến thể phải kiểm định khi đánh giá bộ nhớ từ nhiều nhà cung cấp. Nó cũng có thể khiến việc so sánh và phân bổ nguồn cung dễ hơn, dù hiệu quả thực tế còn phụ thuộc vào khả năng tương thích giữa base die, DRAM, đóng gói và GPU. Chuẩn hóa một công đoạn không tự động khiến các module hoàn toàn hoán đổi cho nhau.
Với Samsung, đây là lựa chọn mang tính thực dụng nếu báo cáo đúng: mảng bộ nhớ có thể tham gia chương trình NVHBM mà không buộc NVIDIA chấp nhận một quy trình base die khác. Khả năng Samsung Foundry tham gia làm đế logic dự phòng nếu công suất TSMC không đủ cũng mới là thông tin được đưa tin, chưa phải phương án sản xuất đã được các bên công bố.
Samsung vẫn giữ phần DRAM và các dòng HBM khác
Thỏa thuận được đưa tin chỉ áp dụng cho base die của NVHBM. Samsung vẫn phát triển và sản xuất các lớp DRAM của mình, đồng thời tiếp tục mô hình tự đảm nhiệm những dòng HBM tiêu chuẩn. Vì vậy, không nên hiểu việc dùng đế logic TSMC là Samsung nhường toàn bộ sản xuất HBM cho đối thủ.
Cuộc cạnh tranh giữa Samsung, SK hynix và Micron khi ấy sẽ tập trung nhiều hơn vào chất lượng DRAM, năng suất, xếp chồng và đóng gói. Dùng chung base die có thể thu hẹp khác biệt ở lớp logic, nhưng không xóa đi chênh lệch về khả năng sản xuất các tầng nhớ hay đáp ứng tiêu chuẩn của NVIDIA.
Thông tin về NVHBM hiện cũng chưa cho biết giá, thời điểm sản xuất hàng loạt hay lịch giao hàng. Đây là linh kiện dành cho GPU trung tâm dữ liệu AI, không phải sản phẩm bộ nhớ bán lẻ tại Việt Nam; người dùng phổ thông chưa có căn cứ để xem tin này như dấu hiệu giá RAM hay card đồ họa sắp thay đổi.
Thỏa thuận vẫn là thông tin báo chí, chưa phải xác nhận của các hãng
Thông tin về hợp tác sản xuất hiện xuất phát từ một báo cáo báo chí được các bài viết khác dẫn lại, nhưng chưa có tuyên bố công khai từ NVIDIA, Samsung, TSMC, SK hynix hoặc Micron xác nhận đầy đủ cấu hình và phân công sản xuất. Bởi vậy, việc Samsung dùng quy trình TSMC 3nm nên được xem là thỏa thuận được báo chí đưa tin, không phải thông số thương mại đã chốt.
TSMC cũng phủ nhận thông tin cho rằng hãng sẽ sản xuất DRAM 3D; điều đó khác với việc gia công một đế logic nằm dưới chồng bộ nhớ. Phân biệt hai vai trò này quan trọng: TSMC không được mô tả là nhà sản xuất các lớp DRAM trong NVHBM.
Nếu kế hoạch thành hiện thực, nó cho thấy NVIDIA muốn kiểm soát chặt hơn tính đồng nhất của bộ nhớ bên cạnh GPU và đóng gói. Còn việc Samsung sẵn sàng sử dụng năng lực foundry của TSMC cho một sản phẩm riêng sẽ chỉ được xác nhận khi các bên công bố thông tin chính thức.
Nguồn tham khảo: Seoul Economic Daily; Wccftech; Tech Insider
